13 décembre 2010

Disponibilité de couches minces de gallium pour véhicules électriques et LED

Soitec, premier fabricant mondial de plaques de silicium sur isolant (SOI) et fournisseur de solutions pour les industries de l’électronique et de l’énergie, et Sumitomo Electric Industries, fournisseur mondial de semi-conducteurs composés, ont annoncé leur collaboration en vue de développer des substrats avancés en nitrure de gallium (GaN).

Ces substrats avancés présentent la même qualité cristalline que les plaques de GaN initiales de Sumitomo Electric, mais ont un coût moins élevé. Cette technologie facilitera ainsi leur adoption à grande échelle dans des applications telles que les diodes LED haute luminosité et les systèmes d’alimentation électrique que l’on trouve dans les véhicules électriques et hybrides.

Cette alliance s’appuiera d’une part sur la technologie développée par Sumitomo Electric pour la fabrication de plaques de GaN et, d’autre part, sur le transfert de couches Smart Cut™ développée par Soitec. Cette technologie permet de transférer de couches ultra-minces à partir d’une unique plaque de GaN pour produire plusieurs substrats avancés en GaN. « Cette collaboration marque la première étape d’une évolution importante de notre stratégie visant à répondre aux besoins croissants d’amélioration de l’efficacité énergétique dans les applications d’éclairage et de conversion de puissance par des solutions innovantes d’ingénierie des matériaux », a déclaré André-Jacques Auberton-Hervé, Président-directeur général de Soitec.

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